نوشته Nomad76
سامسونگ به گزارش‌ها در حال آماده‌سازی یک تغییر بزرگ در استراتژی تولید حافظه‌اش است؛ چرا که تقاضای DRAM به‌دلیل رشد زیرساخت‌های هوش مصنوعی جهانی به سرعت در حال افزایش است. بر پایه گزارش‌های صنعتی کره‌ای که توسط SE Daily نقل شده است، این شرکت قصد دارد بخش‌هایی از خطوط NAND فلش خود در پیون‌تک و هوای‌سونگ را به تولید DRAM تبدیل کرده و همچنین فابریک ۴ پیون‌تک (P4) که در دست‌ساخت است را به‌صورت خط اختصاصی DRAM با بهره‌گیری از جدیدترین فرآیند 1c سامسونگ راه‌اندازی کند. منابع صنعتی می‌گویند سامسونگ نسبت به بازار NAND محتاط‌تر شده است، در حالی که تقاضای DRAM استاندارد به‌طور چشمگیری افزایش یافته است. قیمت‌ها به سرعت در حال رشد‌اند و برخی مشتریان سرور گفته می‌شود برای ماژول‌های DDR5 با ظرفیت ۹۶ گیگابایت و ۱۲۸ گیگابایت، تا ۷۰ درصد قیمت بالاتر ارائه می‌دهند، اما هنوز نمی‌توانند تأمین کافی داشته باشند. گزارش‌ها حاکی‌اند که شرکت‌های فناوری بزرگ پیش‌بینی می‌کنند کمبودها سال‌ها ادامه داشته باشد و در حال مذاکره برای تخصیص DRAM تا سال ۲۰۲۷ هستند.
در حال حاضر سامسونگ هم DRAM و هم NAND را در فابریک ۱ و فابریک ۳ پیون‌تک و همچنین کارگاه هوای‌سونگ تولید می‌کند. خطوط ترکیبی در P1 و هوای‌سونگ با حذف تجهیزات NAND، بیشتر به سمت DRAM حرکت خواهند کرد. فابریک ۴ که در مرحله نهایی ساخت قرار دارد، سال آینده به‌عنوان خط اختصاصی DRAM با فناوری 1c راه‌اندازی می‌شود و سامسونگ همچنین در نظر دارد ناحیه دوم P4، که ابتدا برای تولید فاندری برنامه‌ریزی شده بود، را برای DRAM نیز به کار گیرد. پس از اعمال این تغییرات، انتظار می‌رود تولید DRAM سامسونگ از P1 (هوای‌سونگ) و فابریک ۴ (P4) در نیمه اول سال آینده به‌طور قابل‌توجهی افزایش یابد. کاهش تولید NAND در کره طبق گزارش‌ها، با افزایش خروجی کارخانجات شیان سامسونگ در چین جبران خواهد شد.
منبع: SE Daily
دیدگاهتان را بنویسید