نوشته توسط Nomad76
به گزارش منابع، سامسونگ در حال آمادهسازی یک تحول بزرگ در استراتژی تولید حافظه خود است؛ تقاضای DRAM بهویژه بهدلیل رشد زیرساختهای هوش مصنوعی در سطوح جهانی بهسرعت در حال افزایش است. بر اساس گزارشهای صنعتی کرهای که توسط SE Daily نقل شده، این شرکت قصد دارد بخشهایی از خطوط تولید NAND فلش در پیئونگتک و هواسونگ را به تولید DRAM تبدیل کند و همچنین کارخانهی جدید پیئونگتک (Fab 4 یا P4) را بهعنوان خط اختصاصی DRAM با بهکارگیری جدیدترین فرآیند 1c سامسونگ راهاندازی نماید. منابع صنعتی میگویند سامسونگ نسبت به بازار NAND محتاطتر شده است، در حالی که تقاضای DRAM استاندارد بهصورت چشمگیری بالا رفته است. قیمتها بهسرعت صعود میکنند و برخی مشتریان سرور گفته میشود برای ماژولهای DDR5 با ظرفیت ۹۶ گیگابایت و ۱۲۸ گیگابایت تا ۷۰٪ قیمت بالاتر ارائه میدهند، اما همچنان با تامین کافی مواجه نیستند. بهنظر میرسد شرکتهای بزرگ فناوری انتظار دارند که کمبودها سالها ادامه یابد و در حال حاضر برای تخصیص DRAM تا سال ۲۰۲۷ مذاکره میکنند.
در حال حاضر سامسونگ هر دو نوع حافظه DRAM و NAND را در کارخانههای پیئونگتک Fab 1، پیئونگتک Fab 3 و مجموعه هواسونگ خود تولید میکند. خطوط ترکیبی در P1 و هواسونگ بهتدریج به سمت DRAM حرکت میکنند، چون تجهیزات NAND حذف میشوند. Fab 4 که هماکنون در مرحلهٔ ساخت نهایی است، سال آینده بهعنوان خط اختصاصی DRAM با فرآیند 1c راهاندازی خواهد شد و سامسونگ همچنین در حال بررسی استفاده از بخش دوم P4، که قبلاً برای تولید در حوزه فاندری برنامهریزی شده بود، برای DRAM میباشد. پس از اعمال این تغییرات، انتظار میرود تولید DRAM سامسونگ از P1 (هواسونگ) و Fab 4 (P4) در نیمهٔ اول سال آینده بهطور قابلتوجهی افزایش یابد. کاهش تولید NAND در کره جنوبی، طبق گزارشها، با افزایش خروجی کارخانهٔ شیان سامسونگ در چین جبران خواهد شد.
منبع: SE Daily
دیدگاهتان را بنویسید